多孔氮化硅高温氧化特性分析

首页 > 过刊浏览>2014年第44卷第1期 >

多孔氮化硅高温氧化特性分析
DOI:
                        
                    
作者:
                        
                        
                    
作者单位:航天材料及工艺研究所,先进功能复合材料技术重点实验室
作者简介:
通讯作者:
中图分类号:TB335,TB3
基金项目:

Analyzing The Oxidation Behavior of Porous Si3 N4 at High Temperature

Author:

Affiliation:

Fund Project:

摘要

图/表

访问统计

参考文献

相似文献

引证文献

资源附件

文章评论

摘要:

采用TG-DSC、XRD、SEM、ICP 等分析手段,对某一典型多孔氮化硅样品进行4 个不同温度点的

静态和微动态连续氧化试验,最高氧化温度为1 400℃。结果表明:多孔氮化硅在0. 1 MPa 静态空气气氛下,

800℃之前,氧化反应非常微弱,800℃以上可见明显的氧化反应,1 000℃以上氧化反应加剧,增重速率加快,并

优先发生在表面与外部孔壁处,之后再发生在样品的内部孔隙处,氧化反应受界面处的化学动力学控制,以被

动氧化为主,主要生成物是SiO2,属吸热反应。当生成的SiO2 将氮化硅表面和孔壁处覆盖时,在其界面处,随

着温度的进一步升高或时间的延长,会生成Si2N2O,且需要注意防范样品可能出现脆性断裂情况。此外,同等

温度下,动态氧化气氛将加速氮化硅的氧化,特别是多孔和粉末状样品。

Abstract:

A porous Si3N4 were tested at the static and micro-dynamic condition of the oxidizing atmosphere by

TG-DSC,XRD,SEM,ICP at four different temperatur with the highest temperature of 1 400℃. The testing results

showed that oxidation reaction was very weak before 800℃ at 1atm and in static condition. Oxidation reaction become

obvious after 800℃ and weight increase rapidly after 1 000℃. Preferential oxidation occurs at the surface and the hole

wall of the sample,then occurs at the hole gap in internal. The oxidation reaction endothermic is controlled by chemical

kinetics to the interface,and SiO2 is main oxidation product. When the SiO2 covers the surface of the Si3N4 completely,

and Si2N2O will appear with the temperature increasing and holding time prolonging. It is necessary to pay attention

to prevent brittle fracture of the sample at high temperature. In addition, the dynamic oxidation atmosphere

will accelerate the oxidation of Si3N4 in same temperature, especially to the porous and powder samples.

参考文献

相似文献

引证文献

引用本文

何凤梅陈聪慧杨景兴黄娜王晓叶.多孔氮化硅高温氧化特性分析[J].宇航材料工艺,2014,44(1).

复制

文章指标

点击次数:
下载次数:
HTML阅读次数:
引用次数:

历史

收稿日期:
最后修改日期:
录用日期:
在线发布日期: 2016-11-28
出版日期:

投稿方式

引用本文

分享

文章指标

历史