电沉积太阳电池用Cu(In,Ga)Se2薄膜

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电沉积太阳电池用Cu(In,Ga)Se2薄膜
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作者单位:安徽工程科技学院机械工程系,芜湖,241000%上海空间电源研究所,上海,200233%南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071
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Electrodeposition of Cu(In,Ga)Se2 Thin Films for Solar Cells

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在Mo基底上,采用恒电位法从含有CuCl2、InCl3、GaCl3、H2SeO3、柠檬酸的水溶液中电沉积制备Cu(In,Ga)Se2薄膜,用HCl调节pH值为2.5,并对沉积薄膜400℃左右Ar气氛中退火20 min.对退火前后的膜进行X射线衍射,扫描电镜和能谱分析仪分析,结果表明,电沉积制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜为黄铜矿结构,退火后,共沉积薄膜的结晶度提高,晶粒尺寸增加,Se含量减少.

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刘琪%冒国兵%万兵%敖建平.电沉积太阳电池用Cu(In, Ga)Se2薄膜[J].宇航材料工艺,2007,37(1).

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在线发布日期: 2016-11-28
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