SiC内层厚度对SiC/Si-MoSi2涂层抗氧化性能影响的研究

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SiC内层厚度对SiC/Si-MoSi2涂层抗氧化性能影响的研究
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作者:
                        
                        
                    
作者单位:中国科学院山西煤炭化学研究所,太原,030001;中国科学院北京研究生院,北京,100039%中国科学院山西煤炭化学研究所,太原,030001
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Study on Effect of Thickness of Inner SiC Layer on Oxidation Protective Properties of SiC/Si-MoSi2 Coating

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为了提高石墨材料的抗氧化性,在石墨表面制备SiC/Si-MoSi2抗氧化涂层.首先采用液硅渗透在石墨材料表面制备SiC内涂层,然后采用料浆刷涂法制备Si-MoSi2外层.详细研究了SiC内层厚度对所制备的SiC/Si-MoSi2涂层抗氧化性能的影响.结果表明,SiC内层厚度对涂层的氧化防护能力有很大影响;在本实验条件下,当SiC内层厚度为240μm左右时,所制备的涂层在1 400℃的高温下对碳基体具有长时间的氧化防护性能.并从微观结构上分析和解释SiC内层厚度对所制备涂层的抗氧化性能的影响.

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赵娟%刘朗%郭全贵. SiC内层厚度对SiC/Si-MoSi2涂层抗氧化性能影响的研究[J].宇航材料工艺,2006,36(z1).

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在线发布日期: 2016-11-28
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